| 型号： | FCD4N60TM | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| FCD4N60TM PDF |  |
| 产品目录绘图 | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | SuperFET™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.2 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 540pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | FCD4N60TMDKR |